1.材料概述
氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中。氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。
2.规格与价格
| 产品 | 产地 | 晶向 | 规格 | 表面 | 掺杂 | 电阻率 | 1片 | 单位：人民币 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GaN 单晶 | 美国 | 0001 | 10x10.5x0.35mm | 单抛 | Fe | >106 Ω·cm | 5300 | |
| GaN 单晶 | 美国 | 0001 | 10x10.5x0.35mm | 单抛 | Ge | <0.05 Ω·cm | 5300 | |
| GaN 单晶 | 美国 | 0001 | 10x10.5x0.35mm | 单抛 | 无 | <0.05 Ω·cm | 3800 | |
| GaN 单晶 | 美国 | 0001 | Φ50.8x0.35mm | 单抛 | Fe | >106 Ω·cm | 35000 | |
| GaN 单晶 | 美国 | 0001 | Φ50.8x0.35mm | 单抛 | Ge | <0.05 Ω·cm | 26500 | |
| GaN 单晶 | 美国 | 0001 | Φ50.8x0.35mm | 单抛 | 无 | <0.05 Ω·cm | 23000 |
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